NEDO人材育成事業 平成29年度 スイッチング電力変換機器の開発人材育成ベーシックコースの実施の様子(第4回) 【7月16日】 第4回講義は、服部特命助教の講義で始まりました。まずは、パワエレの要であるスイッチングデバイスの解説です。スイッチにも様々な種類があるのですが、今回はSi系半導体スイッチについて説明を行いました。 続いて、半導体スイッチの一種であるダイオードについて解説です。ここでは、回路シミュレータPSIMにてダイオード特性を確認します。 さて、実験室に移動してダイオード特性取得の実験です。こここではブレッドボードという実験用基盤を用います。PINダイオードとツェナダイオードへの入力電圧を色々変化させて、各V-I特性を取得しました。 次に、MOS FETという半導体スイッチの講義です。服部特命助教からMOS FETの説明があった後、ここでもまず、回路シミュレータPSIMにて、MOS FETの動作を確認します。 最後にダブルパルス回路という回路を用いて、スイッチング特性の測定実験を行いました。 第4回の講義も終了。受講生の皆様は、講義終了後も引き続き実験を行ったり、質問を行ったりと熱心に取り組んでいました。本日もお疲れさまでした。